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Correo electrónico
75046748@qq.com
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Teléfono
17317784455
- Dirección
Feinuofei Technology (shanghai) co., Ltd.
75046748@qq.com
17317784455
Nuestra empresa produce detectores de semiconductores de barrera superficial de silicio dorado parcialmente agotados.Una La serie tiene las características de alta resolución energética y ventanas delgadas, y es adecuada para ocasiones con altos requisitos de espectro de energía, como el analizador de radón y torio.C. B. La serie está en Una La serie está recubierta con una capa protectora frente a la ventana, superando las deficiencias de fácil daño y la ventana no se puede borrar, y es adecuada para detectores que no requieren una alta resolución energética como medida de intensidad radiactiva.
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modelo |
Tensión de funcionamiento |
Espesor de la zona agotada de μm |
ComparaciónOrtek U - 016 - 300 - 100 Detector (Fuente am - 241)Medición de la resolución energética al vacío1,2 |
ComparaciónOrtek U - 016 - 300 - 100 Detector (Fuente am - 241)Sitio del pico de medición al vacío202 |
El A-AS20 |
5 ~ 300VDC |
Mayor que 1000 |
0,7 a 1,4 |
204 a 206 |
El A-AS26 |
5 ~ 300VDC |
Mayor que 1000 |
0,7 a 1,4 |
204 a 206 |
El B-AS20 |
5 ~ 300VDC |
Mayor que 1000 |
4,0 a 4,9 |
189 - 191 |
El B-AS26 |
5 ~ 300VDC |
Mayor que 1000 |
4,2 a 4,9 |
189 - 191 |