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Feinuofei Technology (shanghai) co., Ltd.
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¿¿ cuál es el mejor detector automático de semiconductores de barrera superficial de oro y silicio?

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Descripción general

Nuestra empresa produce detectores de semiconductores de barrera superficial de silicio dorado parcialmente agotados, la serie A tiene las características de alta resolución energética y ventanas delgadas, adecuados para ocasiones con altos requisitos de espectro de energía, como el analizador de radón y torio, la serie B está recubierta con una capa protectora frente a la ventana de la serie a, superando las deficiencias de fácil daño y ventanas no se pueden borrar, y es adecuada para detectores que no requieren alta resolución energética como medición de intensidad radiactiva.

Detalles del producto

Detector de semiconductores de barrera superficial de silicio dorado

Resumen

Nuestra empresa produce detectores de semiconductores de barrera superficial de silicio dorado parcialmente agotados.Una La serie tiene las características de alta resolución energética y ventanas delgadas, y es adecuada para ocasiones con altos requisitos de espectro de energía, como el analizador de radón y torio.C. B. La serie está en Una La serie está recubierta con una capa protectora frente a la ventana, superando las deficiencias de fácil daño y la ventana no se puede borrar, y es adecuada para detectores que no requieren una alta resolución energética como medida de intensidad radiactiva.

Especificaciones técnicas

modelo

Tensión de funcionamiento

Espesor de la zona agotada de μm

ComparaciónOrtek

U - 016 - 300 - 100

Detector

(Fuente am - 241)Medición de la resolución energética al vacío1,2

ComparaciónOrtek

U - 016 - 300 - 100

Detector

(Fuente am - 241)Sitio del pico de medición al vacío202

El A-AS20

5 ~ 300VDC

Mayor que 1000

0,7 a 1,4

204 a 206

El A-AS26

5 ~ 300VDC

Mayor que 1000

0,7 a 1,4

204 a 206

El B-AS20

5 ~ 300VDC

Mayor que 1000

4,0 a 4,9

189 - 191

El B-AS26

5 ~ 300VDC

Mayor que 1000

4,2 a 4,9

189 - 191